石墨烯/HfS$_2$ 范德瓦耳斯异质结构中的可调欧姆接触
材料科学
2020-11-10 v1
摘要
利用密度泛函理论计算并加入范德瓦耳斯修正，我们构建了石墨烯/HfS 异质结，并彻底考察了其电子性质。该界面被确定为 型欧姆接触，并利用肖特基势垒高度和电子注入效率展示了层间距与应变的不同大小对该接触的影响。当受这两类因素改变时，界面的偶极矩与功函数亦发生变化。还描绘了通过施加垂直电场使欧姆接触向肖特基接触转变的可能性，证明这是调控该结构不同性质的又一有用方法。本文所得结论可对未来二维 HfS 基器件的发展产生巨大影响。
引用
@article{arxiv.2011.04081,
title = {Tunable Ohmic contact in graphene/HfS$_2$ van der Waals heterostructure},
author = {S. Karbasizadeh and F. Fanaeiparvar and I. Abdolhosseini Sarsari},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.04081},
year = {2020}
}
备注
12 pages, 10 figures