应用于MoS2范德华肖特基二极管的背对背二极管模型
介观与纳米尺度物理
2024-10-31 v1 材料科学
摘要
金属范德华接触的使用以及接触半导体中费米能级钉扎效应的隐含降低，已带来了显著的器件优化。例如，使用石墨烯作为电接触允许在晶体管和势垒晶体管中实现可调谐的肖特基势垒。在本研究中，我们提出了一个双肖特基势垒模型，并将其应用于势垒可调的全范德华晶体管。在一个具有石墨烯和少层石墨烯接触的二硫化钼（MoS）晶体管中，我们发现该模型可以通过简单的室温两端电流-电压测量来提取与肖特基-莫特规则一致的肖特基势垒高度。此外，我们展示了使用区域接触栅极对肖特基势垒进行原位调谐的能力。我们的结果表明，一个基本的背对背二极管模型应用于两端测量，可以相对较好地捕捉全范德华晶体管的二极管特性。
引用
@article{arxiv.2402.03611,
title = {A back-to-back diode model applied to MoS2 van der Waals Schottky diodes},
author = {Jeffrey A. Cloninger and Raine Harris and Kristine L. Haley and Randy M. Sterbentz and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Joshua O. Island},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.03611},
year = {2024}
}
备注
6 pages, 3 figures