异质结构石墨烯-MoS2多场效应晶体管架构中出乎意料的电子输运抑制
介观与纳米尺度物理
2022-01-20 v2 材料科学
摘要
我们展示了一种集成多个场效应晶体管的石墨烯-MoS2架构，并独立探测且关联了范德瓦耳斯耦合的石墨烯-MoS2接触区与MoS2沟道的导电特性。器件制备始于通过化学气相沉积生长的高质量单晶单层，并经由扫描拉曼与光致发光光谱进行表征。将MoS2的跨导曲线与石墨烯接触条的电流-电压特性相比较，揭示了跨导曲线n侧上显著的输运抑制。基于第一性原理建模，该效应被理解为硫空位俘获所致，其反直觉地依赖于场效应，尽管石墨烯接触层位于背栅与MoS2沟道之间。
引用
@article{arxiv.2108.02116,
title = {Unexpected Electron Transport Suppression in a Heterostructures Graphene MoS2 Multiple Field-Effect Transistor Architecture},
author = {Gaia Ciampalini and Filippo Fabbri and Guido Menichetti and Luca Buoni and Simona Pace and Vaidotas Mišeikis and Alessandro Pitanti and Dario Pisignano and Camilla Coletti and Alessandro Tredicucci and Stefano Roddaro},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.02116},
year = {2022}
}