具有石墨烯接触的全封装超薄黑磷基异质结构的电学表征
介观与纳米尺度物理
2015-04-02 v1
摘要
半导体少层黑磷中存在有限带隙和高迁移率，为未来二维电子器件中使用这种材料提供了有吸引力的前景。在这里，我们首次展示了范德华异质结构中全封装的超薄（低至双层）黑磷场效应晶体管，以消除其稳定性和退化问题，这些问题限制了它们的应用潜力。在我们的器件架构中引入单层石墨烯作为单原子厚度的共形源漏电极，使得化学惰性的氮化硼介电层能够紧密密封黑磷表面。这种架构普遍适用于其他敏感的二维晶体，产生了稳定的输运特性，这些特性无滞后，并且在真空和环境条件下相同。值得注意的是，我们的石墨烯电极导致接触不受热电子发射主导，解决了在技术相关的两端场效应晶体管几何结构中肖特基势垒限制输运的问题。
引用
@article{arxiv.1412.1191,
title = {Electrical characterization of fully encapsulated ultra thin black phosphorus-based heterostructures with graphene contacts},
author = {Ahmet Avsar and Ivan J. Vera-Marun and Tan Jun You and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Antonio Helio Castro Neto and Barbaros Ozyilmaz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.1191},
year = {2015}
}