一种纳米间隙无滞回场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2023-06-29 v1 材料科学
摘要
我们提出一种半悬浮器件结构，并基于范德瓦耳斯堆叠技术构建了纳米间隙、无滞回的场效应晶体管（FETs）。该结构特征为亚微米长楔形纳米间隙上方的半悬浮沟道，通过将超洁净 BN 支撑的 MoS 沟道直接转移至介质间隔的垂直源/漏堆叠上实现。电子表征与分析揭示了高整体器件质量，包括超洁净沟道界面、可忽略的电扫描滞回以及结构中的欧姆接触。这种独特的中空 FET 结构在开发可靠电子学以及纳米流体和压力传感器方面具有潜力。
引用
@article{arxiv.2306.15690,
title = {A nanogapped hysteresis-free field-effect transistor},
author = {Jiachen Tang and Luhao Liu and Yinjiang Shao and Xinran Wang and Yi Shi and Songlin Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2306.15690},
year = {2023}
}
备注
22 pages, 4 figures, with SI