利用范德瓦耳斯结隧穿研究NbSe$_2$涡旋态
超导电性
2018-12-26 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们利用基于器件的隧穿谱学研究了 NbSe 在涡旋态下的性质，磁场分别平行和垂直于 面施加。我们的器件由层状半导体通过范德瓦耳斯转移技术放置在剥离的 NbSe 上构成。在零场下，谱表现出硬能隙，且准粒子峰分裂为低能和高能特征。这两个特征与 NbSe 中超导的有效两带性质相关，对磁场的施加表现出显著不同的响应，表明两带的涡旋核空间延展相差一个数量级。在低于超导能隙的能量处，硬能隙让位于涡旋束缚的 Caroli-de Gennes-Matricon 态，使得能够检测单个涡旋进入和离开结的过程。对平行磁场下亚能隙谱的分析使我们能够追踪体材料中涡旋表面形成与空间重排的过程。
引用
@article{arxiv.1809.01869,
title = {Tunneling into the vortex state of NbSe$_2$ with van der Waals junctions},
author = {Tom Dvir and Marco Aprili and Charis H. L. Quay and Hadar Steinberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.01869},
year = {2018}
}