SnSe2-外延石墨烯 van der Waals 异质结构中界面超导的观测
超导电性
2018-12-26 v1 材料科学
摘要
我们报道了通过 van der Waals 外延在石墨化 SiC(0001) 衬底上生长的单层 SnSe2 薄膜中界面超导的直接观测。超导态的隧穿谱显示出具有完全能隙序参量的相当传统的特征。超导的出现由外磁场下涡旋的存在进一步确认。通过界面工程，我们揭示了源于 SnSe2 与石墨烯界面处形成的二维电子气的超导机制。我们的发现为基于 van der Waals 异质结构寻找和理解界面超导开辟了新策略。
引用
@article{arxiv.1802.08434,
title = {Observation of Interface Superconductivity in a SnSe2-Epitaxial Graphene van der Waals Heterostructure},
author = {Yi-Min Zhang and Jia-Qi Fan and Wen-Lin Wang and Ding Zhang and Lili Wang and Wei Li and Ke He and Can-Li Song and Xu-Cun Ma and Qi-Kun Xue},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.08434},
year = {2018}
}
备注
7 pages, 7 figures