通过电子转移促成的界面配位键形成增强范德华外延
计算物理
2017-11-22 v2
摘要
半导体在层状 vdW 衬底上的增强型范德华 (vdW) 外延被归结为配位键的形成。例如，尽管 NbSe2 是一种 vdW 层状材料，第一性原理计算表明 CdTe-NbSe2 界面的键强是 CdTe-石墨烯界面处 vdW 相互作用的五倍。此处非同寻常的化学反应由从 CdTe 表面 Cd 悬键态到金属性非键 NbSe2 态的有效净电子转移所实现，这是激活 Cd 以加强与 Se 结合的必要前提。
引用
@article{arxiv.1610.07641,
title = {Enhanced van der Waals epitaxy via electron transfer-enabled interfacial dative bond formation},
author = {Weiyu Xie and Toh-Ming Lu and Gwo-Ching Wang and Ishwara Bhat and Shengbai Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.07641},
year = {2017}
}