基于通孔接触二维材料的隧穿谱学
介观与纳米尺度物理
2022-11-14 v2 超导电性
摘要
我们引入一种基于通孔接触的范德华异质结构新型平面隧穿架构,即嵌入氮化硼(BN)通孔中的金属接触。我们使用基于通孔的隧穿方法研究两种不同二维(2D)材料 NbSe 与石墨烯的单粒子态密度。在 NbSe 器件中,我们表征了 0、1 和 2 层 BN 势垒厚度下的势垒强度与界面无序,并研究隧穿接触面积小至 nm 时的依赖关系。对于 0 层 BN 器件,我们展示了小接触面积极限下从扩散接触到点接触的 crossover。在石墨烯中,我们显示减小隧穿势垒厚度与面积可抑制声子辅助隧穿与 BN 势垒中缺陷引起的效应。该基于通孔的架构克服了其他平面隧穿设计的限制,并从多种 2D 材料产生高质量、超洁净的隧穿结构。
引用
@article{arxiv.2203.07394,
title = {Tunneling Spectroscopy of Two-Dimensional Materials Based on Via Contacts},
author = {Qingrui Cao and Evan J. Telford and Avishai Benyamini and Ian Kennedy and Amirali Zangiabadi and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Cory R. Dean and Benjamin M. Hunt},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.07394},
year = {2022}
}