范德瓦耳斯异质结构中光子诱导的层间隧穿抑制
介观与纳米尺度物理
2019-05-15 v1
摘要
我们以石墨烯/{\it h}-BN/石墨烯为范式例子，发展了强电磁场驱动下范德瓦耳斯异质结构中层间隧穿的理论。我们的理论预言在偏置电压值等于光频率的整数倍处出现强反共振。这些特征被发现源于不同石墨烯层的 Floquet 边带之间的光子辅助共振隧穿跃迁，并且由于带内与带间隧穿跃迁的相互作用，其是两能带系统所独有的。我们的结果指出了利用强电磁场在范德瓦耳斯异质结构中实现隧穿局域化的可能性。
引用
@article{arxiv.1812.10816,
title = {Photon-Induced Suppression of Interlayer Tunneling in Van Der Waals Heterostructures},
author = {Woo-Ram Lee and Wang-Kong Tse},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.10816},
year = {2019}
}
备注
6 pages, 4 figures