用于垂直隧穿单电子晶体管的平面与范德瓦耳斯异质结构
介观与纳米尺度物理
2019-01-17 v1
摘要
尽管如今存在丰富多样的二维材料选择，但异质结构——无论是垂直（范德瓦耳斯）还是面内——都对所得结构的性质和功能提供了前所未有的控制。因此，平面异质结构允许不同二维半导体之间的p-n结以及具有明确边缘的石墨烯纳米带；而垂直异质结构导致了纯碳基系统中超导性的观测以及垂直隧穿晶体管的实现。在此，我们展示了同时利用面内和范德瓦耳斯异质结构来构建垂直单电子隧穿晶体管。我们在六方氮化硼基质中生长石墨烯量子点，这使得量子点周长上局域态的数量大幅减少。使用六方氮化硼隧穿势垒作为与石墨烯量子点的接触，使我们的晶体管可复现且不依赖于局域态，为设计未来器件提供了更大的灵活性。
引用
@article{arxiv.1901.05211,
title = {Planar and van der Waals heterostructures for vertical tunnelling single electron transistors},
author = {Gwangwoo Kim and Sung-Soo Kim and Jonghyuk Jeon and Seong In Yoon and Seokmo Hong and Young Jin Cho and Abhishek Misra and Servet Ozdemir and Jun Yin and Davit Ghazaryan and Mathew Holwill and Artem Mishchenko and Daria V. Andreeva and Yong-Jin Kim and Hu Young Jeong and A-Rang Jang and Hyun-Jong Chung and Andre K. Geim and Kostya S. Novoselov and Byeong-Hyeok Sohn and Hyeon Suk Shin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.05211},
year = {2019}
}