源自溶液加工半导体的大面积、低电压反双极性异质结
材料科学
2014-12-16 v1 介观与纳米尺度物理
其他凝聚态物理
摘要
具有惰性或无悬空键表面的半导体材料的出现，创造了在不依赖传统外延生长限制的情况下形成范德华异质结构的机会。例如，层状二维（2D）半导体已被纳入具有栅极可调电子和光学功能的异质结构器件中。然而，2D 材料存在的加工挑战阻碍了这些异质结构以足够的可扩展性和/或均匀性生产，从而限制了其融入大面积集成电路。在此，我们将范德华异质结的概念扩展至半导体 p 型单壁碳纳米管（s-SWCNT）和 n 型非晶氧化铟镓锌（a-IGZO）薄膜，这些薄膜可通过溶液加工或溅射在晶圆尺度上实现高度的空间均匀性。由此产生的大面积、低电压 p-n 异质结表现出具有高开/关比的反双极性转移特性，非常适用于电子、光电子和通信技术。
引用
@article{arxiv.1412.4304,
title = {Large-area, low-voltage, anti-ambipolar heterojunctions from solution-processed semiconductors},
author = {Deep Jariwala and Vinod K. Sangwan and Jung-Woo Ted Seo and Weichao Xu and Jeremy Smith and Chris H. Kim and Lincoln J. Lauhon and Tobin J. Marks and Mark C. Hersam},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.4304},
year = {2014}
}
备注
Manuscript (5 figures)+ supporting information, Nano Letters (2014)