面向自旋电子学与光自旋电子学的范德瓦耳斯异质结构
介观与纳米尺度物理
2021-10-20 v1
摘要
种类繁多的二维材料及其在范德瓦耳斯(vdW)异质结构中的协同集成，使得创新的器件工程成为可能。此外，其原子级薄的特性促进了由短程相互作用引发的邻近效应来设计人工材料。这种“定制”方法对于自旋电子学尤其引人注目，该领域通常利用薄层磁性材料、非磁性材料及其界面之间的功能特性。在此，我们综述了利用vdW异质结构在二维自旋电子学与光自旋电子学方面的最新进展。在介绍自旋输运研究前沿之后，我们重点介绍了由自旋轨道与磁性邻近效应产生的独特自旋相关现象。我们进一步描述了基于vdW材料构建结合自旋、谷与激子自由度的多功能混合异质结构的能力。最后，我们展望了超紧凑全二维自旋器件的设计与制备的前景与挑战，及其在传统与量子技术中的潜在应用。
引用
@article{arxiv.2110.09944,
title = {Van der Waals heterostructures for spintronics and opto-spintronics},
author = {Juan F. Sierra and Jaroslav Fabian and Roland K. Kawakami and Stephan Roche and Sergio O. Valenzuela},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.09944},
year = {2021}
}
备注
Review article. 39 pages, 5 figures, 2 tables. Full-text access at the SharedIt link https://rdcu.be/cpbSv