用于范德华异质结的少层石墨烯图案化底栅
介观与纳米尺度物理
2017-03-17 v1
摘要
我们引入了一种用于范德华异质结的局部栅控方法，采用少层石墨烯图案化底栅。作为二维材料家族的一员，少层石墨烯完美适应了常用的堆叠方法。其在图案化方面的多功能性及其平整度使其成为局部栅控二维材料实验的理想候选者。此外，结合超薄六方氮化硼作为绝缘层，可以产生锐利的势阶，并保持所研究的二维材料的质量。为了突出其良好的可行性与性能，我们展示了周期性调制的石墨烯-氮化硼异质结中输运实验的结果，其中载流子密度通过局部作用的图案化少层石墨烯底栅和全局背栅进行调控。
引用
@article{arxiv.1703.05631,
title = {Few-layer graphene patterned bottom gates for van der Waals heterostructures},
author = {Martin Drienovsky and Andreas Sandner and Christian Baumgartner and Ming-Hao Liu and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Klaus Richter and Dieter Weiss and Jonathan Eroms},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.05631},
year = {2017}
}