压力诱导的石墨烯在氮化硼上的公度堆垛
介观与纳米尺度物理
2017-01-27 v2 材料科学
摘要
将原子级薄的范德华材料组合成异质结构,为制造定制电子器件提供了一条强有力的途径。相邻层之间的相互作用强度(最容易通过层间分离来控制)对这些复合材料的电子性质有显著影响。在此,我们展示了通过局部改变石墨烯与氮化硼之间的层间分离,从而对层间相互作用实现前所未有的控制,这是通过用扫描隧道显微镜针尖施加压力实现的。对于石墨烯在氮化硼上对齐或近对齐的特殊情况,石墨烯晶格可以局部拉伸和压缩,以补偿两种材料之间轻微的晶格失配。我们发现,改变层间分离可直接调节晶格应变,并诱导针尖下方的公度堆垛。我们的结果激励了未来的研究:通过利用静水压力控制整个器件的层间分离,来定制范德华异质结构的电子性质。
引用
@article{arxiv.1603.03244,
title = {Pressure-induced commensurate stacking of graphene on boron nitride},
author = {Matthew Yankowitz and K. Watanabe and T. Taniguchi and Pablo San-Jose and Brian J. LeRoy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.03244},
year = {2017}
}
备注
17 pages, 4 figures and supplementary information. Updated to published version