基于六方氮化硼结中缺陷辅助隧穿的证据
介观与纳米尺度物理
2019-03-26 v1 材料科学
摘要
我们研究了采用少原子层六方氮化硼（hBN）作为绝缘势垒的金属-绝缘体-金属结中的隧穿现象。尽管低偏压隧穿电阻随势垒厚度近乎呈指数增长，但在电流-电压曲线中可观察到细微特征，表明 hBN 绝缘体中存在的本征缺陷对隧穿输运具有显著影响。特别是，观察到了单电子充电事件，这在直接隧穿极弱的厚势垒器件中更为明显。此外，我们发现对器件进行退火处理会改变缺陷状态，从而改变隧穿特征。
关键词
引用
@article{arxiv.1507.01058,
title = {Evidence for defect-mediated tunneling in hexagonal boron nitride-based junctions},
author = {U. Chandni and K. Watanabe and T. Taniguchi and J. P. Eisenstein},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.01058},
year = {2019}
}
备注
5 pages, 5 figures