基于hBN的隧穿结中的散粒噪声探测

利用转移的原子级薄层六方氮化硼作为隧穿势垒，制备了高质量的Au/hBN/Au隧穿器件。所有隧结均显示出数量级为若干k$\Omega$/$\mu$m$^{2}$的隧穿电阻。小偏压下的欧姆I-V曲线无共振迹象，表明缺陷稀少。在这些器件中测量了隧穿电流散粒噪声，且过量散粒噪声与理论预期一致。这些结果表明，原子级薄层hBN是优异的隧穿势垒，尤其适用于散粒噪声性质的研究，并可实现对更复杂系统中态隧穿密度和散粒噪声谱的研究。