六方氮化硼中局域电子态的隧穿谱学
介观与纳米尺度物理
2018-12-17 v2
摘要
六方氮化硼 (hBN) 是一种大带隙层状晶体，常作为绝缘或隧穿势垒嵌入范德瓦耳斯 (vdW) 异质结构中。其带隙内具有能量的局域态可发射可见光，与纳米光子学和量子信息处理中的应用相关。然而，它们也会产生导电通道，在施加大电压时可能引发电击穿。本文利用栅控隧穿晶体管研究夹于两层单层石墨烯电极之间、少原子层 hBN 势垒中局域态的共振电子隧穿。测量用于确定 50 余个不同局域态的能量、线宽、隧穿透射概率及在势垒中的深度。本文还研究了电子经由两个空间分离局域态的三步渗流过程。
引用
@article{arxiv.1810.01312,
title = {Tunnel spectroscopy of localised electronic states in hexagonal boron nitride},
author = {M. T. Greenaway and E. E. Vdovin and D. Ghazaryan and A. Misra and A. Mishchenko and Y. Cao and Z. Wang and J. R. Wallbank and M. Holwill and Yu. N. Khanin and S. V. Morozov and K. Watanabe and T. Taniguchi and O. Makarovsky and T. M. Fromhold and A. Patanè and A. K. Geim and V. I. Fal'ko and K. S. Novoselov and L. Eaves},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.01312},
year = {2018}
}
备注
Supplementary information can be found at https://doi.org/10.1038/s42005-018-0097-1