原子级薄二维六方氮化硼势垒的隧道磁电阻
介观与纳米尺度物理
2014-11-14 v1
摘要
二维原子级薄绝缘体六方氮化硼 (h-BN) 构成了基于隧穿器件的新范式。其大带隙以及原子级平整、无悬空键或界面陷阱态的特性，使其成为自旋电子器件中隧道自旋传输的理想候选者。在此，我们展示了自旋极化电子穿过由化学气相沉积制备的大面积单层 h-BN 在磁性隧道结中的隧穿现象。在芯片尺度上制造的铁磁体/h-BN/铁磁体异质结构中，我们展示了室温下的隧道磁电阻。在不同偏置电压下的测量以及对具有不同铁磁电极的多个器件的测试，确立了使用 h-BN 势垒的自旋极化隧穿。这些结果为在环境温度下运行的有源自旋电子器件和电路中集成二维单层绝缘势垒开辟了道路，并为进一步探索其性质和前景奠定了基础。
引用
@article{arxiv.1411.3524,
title = {Tunnel Magnetoresistance with Atomically Thin Two-Dimensional Hexagonal Boron Nitride Barriers},
author = {André Dankert and M. Venkata Kamalakar and Abdul Wajid and R. S. Patel and Saroj P. Dash},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.3524},
year = {2014}
}