面向应用驱动的六方氮化硼在金属与碳纳米管衬底上的合成与表征
材料科学
2021-09-20 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
六方氮化硼（h-BN）在二维材料中独具特色，具有大带隙（~6 eV）和高热导率（>400 W/m/K），在电绝缘体中仅次于金刚石。迄今为止，大多数电子研究依赖于从块体晶体剥离的 h-BN；然而，对于可扩展应用，材料必须通过化学气相沉积（CVD）等方法合成。在此，我们展示了在单晶铂和碳纳米管（CNT）衬底上通过 CVD 合成的单层及少数层 h-BN，并将这些薄膜与沉积于更常用的多晶 Pt 和 Cu 生长衬底上的 h-BN 进行比较。生长在单晶 Pt 上的 h-BN 薄膜比多晶 Pt 箔上的薄膜表面粗糙度更低且空间更均匀，我们的电化学转移工艺可使这些昂贵箔片重复使用而无可测量的退化。此外，我们展示了单层 h-BN 作为超薄（3.33 ）屏障保护 MoS2 免受高温损伤，并讨论了利用本工作中所演示的在各种衬底上保形 h-BN 沉积的其他应用。
引用
@article{arxiv.2011.14286,
title = {Application-Driven Synthesis and Characterization of Hexagonal Boron Nitride on Metal and Carbon Nanotube Substrates},
author = {Victoria Chen and Yong Cheol Shin and Evgeny Mikheev and Joel Martis and Ze Zhang and Sukti Chatterjee and Arun Majumdar and David Goldhaber-Gordon and Eric Pop},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.14286},
year = {2021}
}