氮化硼与氧化硅界面间的热传导
介观与纳米尺度物理
2017-03-03 v1
摘要
纳米/微米器件对高效散热和优异热传导的需求，引发了人们对具有高热导率的低维材料的大量研究。由于兼具热导体和电绝缘体的新颖物理特性，六方氮化硼（h-BN）被认为是热管理和散热的候选材料之一。在此，我们利用微分 3 omega 法报道了少层 h-BN 与其氧化硅基底之间的界面热阻。对于金属/h-BN/SiO2 界面，测得的界面热阻在单层 h-BN 中约为 ~1.6*10-8 m2K/W，在 12.8nm 厚 h-BN 中约为 ~3.4*10-8 m2K/W。我们的结果表明，基底与厚 h-BN 薄片之间的空隙和间隙限制了界面热传导。这项工作为在进一步微型化和集成的电子与光电纳米/微米器件中，利用 h-BN 薄片作为横向散热片提供了更深入的理解。
引用
@article{arxiv.1703.00669,
title = {Thermal conduction across a boron nitride and silicon oxide interface},
author = {Xinxia Li and Yaping Yan and Lan Dong and Jie Guo and Adili Aiyiti and Xiangfan Xu and Baowen Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.00669},
year = {2017}
}
备注
9 pages, 6 figures