Ir(111)上外延六方氮化硼：一种功函数模板
材料科学
2014-06-24 v2
摘要
六方氮化硼（h-BN）是日益增长的二维材料家族中的重要成员，其潜在应用范围从作为其他二维材料的原子级光滑支撑到分子层的模板生长。我们通过低温扫描隧道显微镜（STM）和光谱学（STS）实验以及最先进的密度泛函理论（DFT）计算，研究了在Ir(111)上通过化学气相沉积生长的单层h-BN的结构。h-BN与Ir(111)表面之间的晶格失配导致形成周期约为29 Å、起伏约为0.4 Å的莫尔超结构。通过测量h-BN层上方的场发射共振，我们发现莫尔原胞内功函数的调制约为0.5 eV。针对13-on-12 h-BN/Ir(111)原胞的DFT模拟证实了我们的实验结果，并使我们能够将功函数的变化与莫尔原胞内硼和氮原子与底层衬底原子之间相互作用的微妙变化联系起来。Ir(111)上的六方氮化硼结合了弱的地形起伏和莫尔原胞上强的功函数调制。这使得h-BN/Ir(111)成为电子调制薄膜和异质三明治结构的潜在衬底。
引用
@article{arxiv.1404.7371,
title = {Epitaxial hexagonal boron nitride on Ir(111): A work function template},
author = {Fabian Schulz and Robert Drost and Sampsa K. Hämäläinen and Thomas Demonchaux and Ari P. Seitsonen and Peter Liljeroth},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.7371},
year = {2014}
}
备注
8 pages, 5 figures