范德瓦耳斯石墨烯/氮化硼结构中的热输运：分子动力学研究
材料科学
2022-05-31 v1
摘要
在范德瓦耳斯异质结构中，石墨烯/h-BN 异质结构是二维纳米电子器件的合适候选者。本文采用非平衡分子动力学模拟方法，探究了双层石墨烯/h-BN 及石墨烯/h-BN 范德瓦耳斯异质结构（即在石墨烯层上下表面周期性插入 h-BN 薄片）中的热输运。结果表明，随系统长度增加，双层石墨烯/h-BN 的热导率升高。此外，揭示出石墨烯/h-BN 异质结构中的热输运较单层石墨烯或单层 h-BN 有所增强。尺寸效应分析显示，当系统尺寸大于 100 nm 时，双层石墨烯/h-BN 中各层的热通量趋于收敛。该结果可增进对范德瓦耳斯异质结构中传热现象的理解，并改进异质结构设计以实现更好的热管理与散热。
引用
@article{arxiv.2108.13833,
title = {Thermal transport in van der Waals graphene/boron-nitride structure: a molecular dynamics study},
author = {M. Sadegh Alborzi and Ali Rajabpour},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.13833},
year = {2022}
}