h-BN/石墨烯范德瓦耳斯异质结构中的声子辅助载流子冷却
介观与纳米尺度物理
2022-07-01 v2 材料科学
摘要
作为超薄导体-绝缘体结用于光电器件，亟需详细研究h-BN与石墨烯如何杂化。此处我们基于石墨(块体)、单层与双层石墨烯作为基准材料，对h-BN/石墨烯界面处由电子-声子散射支配的热载流子动力学进行了全面的从头算研究。与单层石墨烯相反，所有多层结构均具有促进载流子热化的低能光学声子模。我们发现h-BN/石墨烯界面是一个例外，其低能光学声子与电子间耦合相对较弱。因此，石墨烯中已知的熱化瓶颈效应在h-BN杂化后依然存在，但在所考虑的所有其他双层与多层情形中大幅减弱。此外，我们表明相较于石墨，双层石墨烯中的量子限域对热化时间无显著影响，因而双层石墨烯可作为块体对应物的极小模型。
引用
@article{arxiv.2108.12894,
title = {Phonon-assisted carrier cooling in h-BN/graphene van der Waals heterostructures},
author = {Sangkha Borah and Dinesh Yadav and Maxim Trushin and Fabian Pauly},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.12894},
year = {2022}
}
备注
6 figures, journal article