范德瓦耳斯异质结构中的激子辅助电子隧穿
介观与纳米尺度物理
2023-03-06 v1 材料科学
摘要
弹性与非弹性电子隧穿的控制依赖于具有明确界面的材料。由二维组分构成的范德瓦耳斯材料为此类研究提供了理想平台。在电流-电压（）测量中已观察到声学声子与缺陷态的特征。这些特征可由直接的电子-声子或电子-缺陷相互作用解释。本文中，我们利用一种涉及过渡金属硫族化物（TMDs）中激子的新型隧穿过程。我们研究由石墨烯与金电极构成、以六方氮化硼（hBN）隔开并邻接TMD单层的隧穿结，并在测量中观察到显著的共振特征。这些共振出现在对应于TMD激子能量的偏置电压处。通过将TMD置于隧穿路径之外，我们证明这种声子-激子介导的隧穿过程不需要向TMD注入任何电荷。该工作展示了电学输运测量中光学模式的显现，并为基于范德瓦耳斯材料的光电器件引入了新的功能。
引用
@article{arxiv.2303.01544,
title = {Exciton-assisted electron tunneling in van der Waals heterostructures},
author = {Lujun Wang and Sotirios Papadopoulos and Fadil Iyikanat and Jian Zhang and Jing Huang and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Michel Calame and Mickael L. Perrin and F. Javier García de Abajo and Lukas Novotny},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.01544},
year = {2023}
}
备注
26 pages, 23 figures, 77 references