隧穿电子到激子的能量转移
介观与纳米尺度物理
2022-10-03 v2 光学
摘要
光电子器件中的激子通常通过光激发、外部载流子注入或利用预存电荷来产生。在此，我们揭示了在过渡金属硫族化物（TMDs）中电学产生激子的一种新方式。将 TMD 置于金-hBN-石墨烯隧穿结上方、隧穿路径之外。该电驱动器件的特征光发射谱在 TMD 的激子能量处有一个明显的峰。我们将此观测解释为由隧穿电子能量转移产生激子，并进一步由基于非弹性电子隧穿的理论模型所支持。我们的发现引入了范德瓦耳斯异质结构中激子产生的新范式，并为一类新型光电子器件提供了灵感，其中光活性材料与电路径分离。
引用
@article{arxiv.2209.11641,
title = {Energy transfer from tunneling electrons to excitons},
author = {Sotirios Papadopoulos and Lujun Wang and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Lukas Novotny},
journal= {arXiv preprint arXiv:2209.11641},
year = {2022}
}