基于单层过渡金属硫族化合物的发光器件中的过偏压光子发射
介观与纳米尺度物理
2023-03-02 v1 材料科学
摘要
基于过渡金属硫族化合物（TMDs）及其他二维材料的隧穿发光器件（LEDs）是一种用于片上光电集成的新平台。该 LED 架构的一些物理过程尚未被完全理解，尤其是光子能量高于所加静电势的发射，即所谓过偏压发射。在此，我们报道了在 TMD 基隧穿 LED 中，偏压接近光学带隙能量一半时的过偏压发射。我们表明该发射本质上并非热性的，而是与通过双电子相干隧穿过程产生激子相一致。
引用
@article{arxiv.2303.00363,
title = {Overbias photon emission from light-emitting devices based on monolayer transition metal dichalcogenides},
author = {Shengyu Shan and Jing Huang and Sotirios Papadopoulos and Ronja Khelifa and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Lujun Wang and Lukas Novotny},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.00363},
year = {2023}
}
备注
6 pages, 4 figures