电子辐照下的二维过渡金属硫族化合物：缺陷产生与掺杂
材料科学
2012-07-24 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
利用第一性原理原子级模拟，我们研究了原子级厚度的过渡金属硫族化合物（TMDs）——一类具有独特电子性质的二维无机材料——对电子辐照的响应。我们计算了21种不同化合物中原子的位移阈值能，并估算了产生缺陷所需的相应电子能量。以 MoS2 为代表性结构，我们开展了高分辨率透射电子显微镜实验，并通过在 80 keV 电子束照射下观察空位的形成验证了我们的理论预测。我们进一步表明，通过用杂质原子填充由电子束产生的空位，可以对 TMDs 进行掺杂。因此，我们的结果不仅揭示了一类降维系统的辐照响应，还为调控 TMDs 的电子结构提供了新途径。
引用
@article{arxiv.1206.4407,
title = {Two-dimensional transition metal dichalcogenides under electron irradiation: defect production and doping},
author = {Hannu-Pekka Komsa and Jani Kotakoski and Simon Kurasch and Ossi Lehtinen and Ute Kaiser and Arkady V. Krasheninnikov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.4407},
year = {2012}
}