半导体过渡金属二硫属化物中的施主与受主能级
介观与纳米尺度物理
2014-09-16 v1
摘要
密度泛函理论计算表明，可以通过化学取代或在硫层上吸附的方式，向半导体过渡金属二硫属化物（TMD）（如 MoS 和 WS）掺杂电子和/或空穴。值得注意的是，浅施主锂（Lithium）和浅受主磷（Phosphorus）的激活能均小于 0.1 eV。本文还提出取代型卤素作为适用于不同温度区间的替代施主。所有提出的掺杂剂引起的晶格弛豫极小，因此预计会导致载流子的散射极弱。掺杂的 MoS 和 WS 单层在比三维半导体更宽的温度范围内表现出非本征特性，使其在高温电子学和光电子学应用中更具优势。
引用
@article{arxiv.1311.0964,
title = {Donor and Acceptor Levels in Semiconducting Transition Metal Dichalcogenides},
author = {A. Carvalho and A. H. Castro Neto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.0964},
year = {2014}
}