硅烷化物在环境条件下原子缺陷的电子光谱
材料科学
2026-04-28 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
过渡金属二硫化物(TMDs)因其作为下一代电子器件构建模块的潜力而受到广泛关注。然而，对各种缺陷在真实操作条件下对局部电子属性的影响进行的系统性理解尚未形成。本文报告了在环境条件下，对二硫化钼(MoS2)这种典型 TMD 中单个缺陷的电子光谱实验结果，采用电导原子力显微镜(C-AFM)。通过在不同偏压电压下获取的连续高分辨率电流图，允许对单个缺陷的局部导电性和微分导电性随偏压电压的变化进行评估，其影响范围从单个原子位点到几个纳米尺寸。光谱数据的特征行为允许将观察到的缺陷划分为 distinct 组，并鉴定为钼原子的 n 型和 p 型过渡金属取代，以及硫原子的氧代替。
引用
@article{arxiv.2604.23391,
title = {Electronic Spectroscopy of Atomic Defects in Molybdenum Disulfide under Ambient Conditions},
author = {Joshua R. Evans and Diego A. Garibay and Aiden N. Kuhls and Mehmet Z. Baykara},
journal= {arXiv preprint arXiv:2604.23391},
year = {2026}
}