原子级薄 MoS2 中的光导机制
介观与纳米尺度物理
2014-10-14 v2
摘要
原子级薄的过渡金属二硫化物已成为灵敏光电探测的有希望的候选材料。在此，我们报告了对偏置单层和双层二硫化钼场效应晶体管的光导研究。我们识别出了光伏效应和光导效应，两者均显示出强光增益。光伏效应被描述为由于电荷从沟道转移到附近分子（包括 SiO2 表面结合水）而引起的晶体管阈值电压偏移。光导效应归因于载流子在二硫化钼本身的带尾态中的捕获。我们提出了一个简单模型，复现了我们的实验观测结果，例如对入射光功率和栅极电压的依赖性。我们的发现为原子级薄二硫化钼光电探测器提供了设计和工程策略，并且我们预期这些结果可推广到其他过渡金属二硫化物。
引用
@article{arxiv.1406.5640,
title = {Mechanisms of photoconductivity in atomically thin MoS2},
author = {Marco M. Furchi and Dmitry K. Polyushkin and Andreas Pospischil and Thomas Mueller},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.5640},
year = {2014}
}
备注
22 pages, 5 figures, 1 table