基于ReS₂的场效应晶体管与光电探测器
材料科学
2019-08-17 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
原子级薄的二维（2D）层状过渡金属二硫化物（TMD）近年来因其优异的电学和光学性质而被广泛研究。此处，我们报道了通过将ReS₂纳米片封装在高κ Al₂O₃介质环境中制备ReS₂场效应晶体管的方法。低温输运测量使我们能够观察到源自强电子-电子相互作用的直接金属-绝缘体转变。值得注意的是，基于ReS₂的光电探测器表现出栅可调光电响应度高达16.14 A/W，外量子效率达到3168%，展现出与石墨烯、MoSe₂、GaS和GaSe基光电探测器竞争的设备性能。我们的研究明确地将ReS₂确定为未来电子学和光电子学应用的新候选材料。
引用
@article{arxiv.1503.01902,
title = {ReS2-based field-effect transistors and photodetectors},
author = {Enze Zhang and Yibo Jin and Xiang Yuan and Weiyi Wang and Cheng Zhang and Lei Tang and Shanshan Liu and Peng Zhou and Weida Hu and Faxian Xiu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.01902},
year = {2019}
}
备注
20 pages,6 figures