基于少层 ReS2 的高响应度光电晶体管用于弱信号检测
材料科学
2017-07-04 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
由于强光与物质相互作用，二维过渡金属硫族化合物在许多光电子应用中展现出巨大潜力。为了充分挖掘其在光电导探测器中的潜力，需要高响应度和弱信号检测能力。在此，我们展示了基于少层二硫化铼(ReS2)的高响应度光电晶体管。根据背栅电压、源漏偏置和入射光强，可达到的最大光响应度高达 88,600 A W-1，相较于具有类似器件结构的其他二维材料这是一个创纪录的值，且比单层 MoS2 高两个数量级。如此高的光响应度归因于增强的光吸收以及少层 ReS2 薄片中陷阱态存在所带来的增益增强。这进一步实现了弱信号的检测，如使用打火机和有限荧光照明等弱光源成功演示。我们的研究凸显了 ReS2 作为未来高灵敏度光电子应用中有前途的材料。
引用
@article{arxiv.1512.06515,
title = {High responsivity phototransistors based on few-layer ReS2 for weak signal detection},
author = {Erfu Liu and Mingsheng Long and Junwen Zeng and Wei Luo and Yaojia Wang and Yiming Pan and Wei Zhou and Baigeng Wang and Weida Hu and Zhenhua Ni and Yumeng You and Xueao Zhang and Shiqiao Qin and Yi Shi and K. Watanabe and T. Taniguchi and Hongtao Yuan and Harold Y. Hwang and Yi Cui and Feng Miao and Dingyu Xing},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.06515},
year = {2017}
}
备注
Accepted by Advanced Functional Materials; 25 pages, 4 figures, 2 supplementary figures