层容忍缺陷能级在 ReS2 中的持久性
材料科学
2026-04-08 v2
摘要
二维(2D)半导体中的缺陷在决定其电子、光学、催化和量子属性方面发挥决定性作用。理解缺陷能级如何响应层厚度变化对于实现可重复且可扩展的器件性能至关重要。我们报告了在钨硫化物(ReS2)中发现的层容忍缺陷能级，其中 donor-型和 acceptor 型电荷跃迁能级在从单层到 bulk 之间在 AA 和 AB 堆叠中几乎保持不变。相关的两能级量子系统也在不同厚度下保持其特征，使 ReS2 能够作为层容忍型单光子发射器的平台。这种不变性源于电子能量最小化与结构松弛之间的相互作用，这些因素共同抵消了量子 confined 效应和减弱的介电屏蔽。此外，ReS2 固有的弱层间耦合也起到关键作用。我们的发现揭示了这种独特行为的微观起源，使 ReS2 区别于其他过渡金属硫化物，并突显了其在厚度无关的光电子和量子光子学应用中的潜力。
关键词
引用
@article{arxiv.2510.18464,
title = {Persistence of Layer-Tolerant Defect Levels in ReS2},
author = {Nikhilesh Maity and Shibu Meher and Manoj Dey and Abhishek Kumar Singh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2510.18464},
year = {2026}
}