面内各向异性过渡金属硫族化物中氧缺陷的普遍性
材料科学
2020-11-18 v1
摘要
半导体中的原子尺度缺陷使其技术应用与新奇量子态的实现成为可能。利用扫描隧道显微镜与谱学并结合第一性原理计算，我们确定了各向异性范德瓦耳斯层状半导体 ReS 中缺陷的性质。我们通过直接可视化形成菱形簇的铼原子链展示了晶格的面内各向异性。利用扫描隧道谱学我们测量了态密度中的半导体带隙。我们揭示了晶格缺陷的存在，并通过将其形貌与谱学特征同第一性原理计算比较，确定其起源为吸附于晶格点缺陷位的氧原子。这些结果提供了对半导体过渡金属硫族化物的原子尺度视角，为理解并调控其性质铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2010.04695,
title = {Prevalence of oxygen defects in an in-plane anisotropic transition metal dichalcogenide},
author = {Ryan Plumadore and Mehmet Baskurt and Justin Boddison-Chouinard and Gregory Lopinski and Mohsen Modaresi and Pawel Potasz and Pawel Hawrylak and Hasan Sahin and Francois M. Peeters and Adina Luican-Mayer},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.04695},
year = {2020}
}
备注
9 pages, 4 figures; Supp 5 pages, 4 figures