WS2/h-BN 异质结构中缺陷与电子能带的调控
介观与纳米尺度物理
2023-11-16 v1 无序系统与神经网络
材料科学
强关联电子
摘要
二维半导体过渡金属硫族化合物（如 WS2）存在各种自由度之间的强耦合，使其在包括光电子学在内的下一代器件应用中具有潜力。此类应用受缺陷的强烈影响，缺陷可控制材料的光学和电子性质。我们展示了在其与 h-BN 的异质结构中调控 WS2 的缺陷相关电子态和晶格动力学性质的可能性，该异质结构中 WS2 层中的电荷载流子与 h-BN 的声子之间存在强层间耦合。观察到这种耦合引起层间声子（表现为其修正的拉曼活性）和 WS2 层中电荷载流子迁移率（导致产生与多体准粒子态相关的带隙中间能量态）的修正。我们的研究还包括通过拉曼测量对缺陷的详细表征，揭示了对缺陷散射相关的模式相对于 WS2 其他正常声子模式具有 A_1g 型特征和差异共振行为。
引用
@article{arxiv.2311.08948,
title = {Tailoring the defects and electronic band structure in WS2/h-BN heterostructure},
author = {Suvodeep Paul and Saheb Karak and Saswata Talukdar and Devesh Negi and Surajit Saha},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.08948},
year = {2023}
}
备注
22 pages, 5 figures, Supplemental material