结构畸变对T型过渡金属硫族化合物电子结构的影响

单层过渡金属硫族化合物(TMDCs)可呈现两种不同的结构，对应于金属原子的不同配位方式。采用T型结构的TMDCs展现出丰富多样的现象，包括TaS$_2$和TaSe$_2$中$\sqrt{13}\times\sqrt{13}$超晶格图案的电荷密度波(CDW)，以及TiSe$_2$中可能的激子绝缘相。这些性质使T-TMDCs成为层状异质结构器件中理想的组成部分。为了预测不同层状材料组合所涌现的性质，需要针对各组成层建立简单而精确的模型，以考虑晶格失配、弛豫、应变和结构畸变的潜在影响。先前的研究已为H型TMDCs建立了第一性原理紧束缚哈密顿量[arXiv:1709.07510]。本文将该工作拓展至包含T型TMDCs。我们以三个示例系统展示了模型的能力：一维正弦波纹、TiSe$_2$中的2$\times$2 CDW，以及TaS$_2$中的$\sqrt{13}\times\sqrt{13}$ CDW。利用能带展开技术，我们将畸变晶体的电子结构与原始能带结构进行比较，发现只要畸变幅度处于线性区间，结果与直接DFT计算高度吻合。