MoS_2边缘处的一维电子不稳定性
材料科学
2020-10-28 v2
摘要
半导体性二维过渡金属二硫族化合物(TMDCs)之锯齿形边缘出现的准一维金属态，源于这些材料固有的电极化；对于D对称性，该极化是一个拓扑不变量。这些一维态易受沿边缘使周期变为三倍的电子与结构扰动影响。本文利用第一性原理密度泛函理论计算，研究{\MS}锯齿形边缘上可能的自旋密度波(SDWs)与电荷密度波(CDWs)。取决于边缘的具体结构与端接方式，我们观察到联合的SDW/CDW或纯CDW，以及伴随的结构畸变。在所有情形中，驱动力均为边缘处能隙的打开。该分析应适用于所有与具有相同基本结构的VI族TMDCs。
引用
@article{arxiv.2007.15492,
title = {One-dimensional electronic instabilities at the edges of $MoS_2$},
author = {Sridevi Krishnamurthi and Mojtaba Farmanbar and Geert Brocks},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.15492},
year = {2020}
}