单层过渡金属二硫化物的键合电荷密度与极限强度
材料科学
2016-01-18 v1
摘要
二维半导体过渡金属二硫化物（TMD）可以承受大变形而不发生断裂或非弹性弛豫，使其在新型应变工程和柔性电子及光电器件中具有吸引力。在本研究中，我们利用第一性原理密度泛函理论计算表征了单层VI族TMD在大弹性变形下的力学响应。我们发现这些二维材料的极限强度和整体应力响应受其化学成分和加载方向的强烈影响。我们证明观察到的力学行为差异可归因于过渡金属原子和硫族元素之间区域中占据杂化电子态的空间重新分布。尽管过渡金属和硫族元素之间存在强共价键，但我们发现可以建立简单的线性关系来描述力学强度对从过渡金属原子到硫族元素的电荷转移的依赖性。
引用
@article{arxiv.1303.7259,
title = {Bonding Charge Density and Ultimate Strength of Monolayer Transition Metal Dichalcogenides},
author = {Junwen Li and Nikhil V. Medhekar and Vivek B. Shenoy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.7259},
year = {2016}
}