WS2-WS2同质与WS2-WSe2异质结构受控的边缘依赖堆叠：一项计算研究
化学物理
2019-11-27 v1
摘要
过渡金属硫族化合物（TMDs）因其极其有趣的层数依赖性质，是过去5-10年中研究最多的二维材料之一。尽管已有大量关于TMDs的研究工作，其电化学与物理性质之间的复杂关系仍使其成为进一步研究的对象。我们的主要目标是更深入地理解TMDs的电子结构。这将有助于我们基于不同的边缘终止和两层间的不同堆叠，更好地理解生长后同质/异质双层产物的稳定性。为此，考虑了两种基于钨（W）的非周期性硫族化物薄片（硫化物和硒化物）。使用VASP软件通过密度泛函理论方法，对其不同的边缘终止与堆叠排列进行了深入分析。我们的结果表明，对于同质与异质层，硫族化物（c-）终止结构均优于金属（m-）终止结构，从而强烈暗示m-终止TMDs双层产物不存在。
引用
@article{arxiv.1911.11289,
title = {Controlled edge dependent stacking of WS2-WS2 Homo- and WS2-WSe2 Hetero-structures: A Computational Study},
author = {Kamalika Ghatak and Kyung Nam Kang and Eui-Hyeok Yang and Dibakar Datta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.11289},
year = {2019}
}