基于原子级薄层横向异质结的二维激子学
材料科学
2025-10-27 v1
摘要
半导体过渡金属硫族化合物(TMDs)，例如MoSe和WSe，展现出独特的光学和电子特性。通过垂直堆叠一种或多种TMDs的层来创建异质结，扩展了莫尔物理学和扭转电子学领域。自下而上的制备技术，例如化学气相沉积，已经推进了异质结的创建，超越了机械剥离和堆叠所能实现的范围。这些技术现在使得制备横向异质结成为可能，其中两个或多个单层在其原子平面内共价键合。在其原子级尖锐的界面处，横向异质结展现出额外的现象，例如电荷转移激子的形成，其中电子和空穴位于界面的两侧。由于组成材料的能带结构差异造成的能量景观，可以在横向异质结中观察到独特效应，例如单向激子输运和激子透镜效应。本综述概述了基于TMD的横向异质结中激子动力学和光谱学的最新进展，并对这一有前景系统中激子学的未来发展提供了展望。
引用
@article{arxiv.2510.21422,
title = {2D Excitonics with Atomically Thin Lateral Heterostructures},
author = {S. Shradha and R. Rosati and H. Lamsaadi and J. Picker and I. Paradisanos and Md T. Hossain and L. Krelle and L. F. Oswald and N. Engel and D. I. Markina and K. Watanabe and T. Taniguchi and P. K. Sahoo and L. Lombez and X. Marie and P. Renucci and V. Paillard and J. -M. Poumirol and A. Turchanin and E. Malic and B. Urbaszek},
journal= {arXiv preprint arXiv:2510.21422},
year = {2025}
}
备注
16 pages, 9 figures