六方氮化硼封装的 MoSe2-WSe2 横向异质结构中的激子光谱与扩散
材料科学
2022-11-22 v1
摘要
化学气相沉积（CVD）允许过渡金属硫族化物异质结构的横向边缘外延，在光电子学中有潜在应用。对载流子和激子传输至关重要的是构成单层的两种材料的质量以及横向异质结的性质。由于光学跃迁的大非均匀展宽，生长态异质结构样品中光学性质的重要细节无法获取。在此，我们在 T = 4 K 和 300 K 下进行光学光谱以探取从生长衬底转移并封装于 hBN 中的 CVD 生长 MoSe2-WSe2 横向异质结构的光学跃迁。光致发光（PL）、反射对比和拉曼光谱显示出与高质量剥离单层相似的显著变窄的光学跃迁线宽。在高分辨透射电子显微镜（HRTEM）中，我们发现共价结合的 MoSe2-WSe2 具有近原子级锐利结，典型延伸为 3 nm。在 PL 成像实验中，我们发现有效激子扩散长度在低温 T=4 K 时 WSe2 长于 MoSe2，而在 300 K 时该趋势反转。
引用
@article{arxiv.2204.07351,
title = {Exciton spectroscopy and diffusion in MoSe2-WSe2 lateral heterostructures encapsulated in hexagonal boron nitride},
author = {Dorian Beret and Ioannis Paradisanos and Ziyang Gan and Emad Naja dehaghani and Antony George and Tibor Lehnert and Johannes Biskupek and Shivangi Shree and Ana Estrada-Real and Delphine Lagarde and Jean-Marie Poumirol and Vincent Paillard and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Xavier Marie and Ute Kaiser and Pierre Renucci and Laurent Lombez and Andrey Turchanin and Bernhard Urbaszek},
journal= {arXiv preprint arXiv:2204.07351},
year = {2022}
}
备注
Main and supplement