基于MoS2的范德华异质结构中激子线宽逼近均匀极限：探察自旋-谷动力学
材料科学
2017-05-24 v1
摘要
强光物质相互作用和谷选择性光学选择规则使单层(ML) MoS2成为一种令人振奋的用于基础物理和光电子学应用的二维材料。但迄今为止，即使在低温下光学跃迁线宽通常也高达几十meV，并且包含均匀和非均匀贡献。这阻碍了深入研究，相比之下MoSe2和WSe2等表征更好的ML材料则不然。本工作中，我们表明将ML MoS2封装在六方氮化硼中可有效抑制激子线宽的非均匀贡献，正如我们在光致发光和反射率中测得T = 4K时半高全宽(FWHM)低至2 meV。这表明表面保护和衬底平整度是获得稳定高质量样品的关键要素。在明确的光学跃迁提供的新可能性中，我们通过在温度依赖实验中测量由与声子相互作用引起的均匀展宽。我们揭示了关于自旋和谷物理的新信息，并展示了垂直于ML的外加磁场中谷相干性的旋转。
引用
@article{arxiv.1702.00323,
title = {Excitonic linewidth approaching the homogeneous limit in MoS2 based van der Waals heterostructures : accessing spin-valley dynamics},
author = {F. Cadiz and E. Courtade and C. Robert and G. Wang and Y. Shen and H. Cai and T. Taniguchi and K. Watanabe and H. Carrere and D. Lagarde and M. Manca and T. Amand and P. Renucci and S. Tongay and X. Marie and B. Urbaszek},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.00323},
year = {2017}
}
备注
10 pages, 4 figures