逼近过渡金属硫族化物单层的本征光致发光线宽
材料科学
2017-02-21 v1
摘要
单层过渡金属硫族化物（TMDCs）中的激子态近来受到广泛关注。然而，其本征性质可能因外部环境的非均匀性影响而被掩盖。本文报道了制备高质量TMDC单层的方法，其窄光致发光（PL）线宽接近本征极限。我们发现，六方氮化硼（h-BN）封装能急剧减小PL线宽，而通过烷基单层对氧化物衬底进行钝化可进一步降低线宽，并最小化带电激子（trion）峰。这些样品制备方法的结合使得PL发射的空间变化大幅减小，半高全宽低至1.7 meV。对PL线形的分析得出均匀宽度为1.430.08 meV，非均匀增宽为1.10.3 meV。
引用
@article{arxiv.1702.05857,
title = {Approaching the Intrinsic Photoluminescence Linewidth in Transition Metal Dichalcogenide Monolayers},
author = {Obafunso A. Ajayi and Jenny V. Ardelean and Gabriella D. Shepard and Jue Wang and Abhinandan Antony and Takeshi Taniguchi and Kenji Watanabe and Tony F. Heinz and Stefan Strauf and X. -Y. Zhu and James C. Hone},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.05857},
year = {2017}
}
备注
16 pages, 4 figures