单层半导体中所有非辐射复合路径的电学抑制
应用物理
2019-05-10 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
传统半导体中的缺陷会显著降低光致发光(PL)量子产率(QY)，这是直接决定器件最大效率的光电性能关键指标。二维(2D)过渡金属硫族化合物(TMDCs)，如单层MoS2，其加工后样品常表现出低PL QY，这通常被归因于较大的本征缺陷密度。我们表明，当通过静电掺杂使加工后的MoS2和WS2单层变为本征型时，无需任何化学钝化，其PL QY即可接近统一。令人惊讶的是，即使存在高本征缺陷密度，中性激子复合也完全是辐射性的。这一发现放宽了对低缺陷密度的严格要求，从而使TMDC单层能够应用于光电器件。
引用
@article{arxiv.1905.03365,
title = {Electrical suppression of all nonradiative recombination pathways in monolayer semiconductors},
author = {Der-Hsien Lien and Shiekh Zia Uddin and Matthew Yeh and Matin Amani and Hyungjin Kim and Joel W. Ager and Eli Yablonovitch and Ali Javey},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.03365},
year = {2019}
}