单层 WSe$_2$ 中的光活性量子点
介观与纳米尺度物理
2014-11-04 v1
摘要
半导体量子点由于能够在静止自旋量子比特与传播的单光子之间提供量子接口，已成为实现量子信息处理的有希望的候选者。与此同时，过渡金属二硫属化物（TMD）单层因其独特的能带结构（具有大带隙、简并谷和非零贝里曲率）而跃居固态研究的前沿。在此，我们报告了在单层二硒化钨中观察到量子点，其能量比二维激子低 20 至 100 meV。二阶光子关联中的光子反聚束无可辩驳地证明了这些量子发射体的零维非谐性。空间局域发射峰的强各向异性磁响应强烈表明，辐射复合源于局域激子，这些激子继承了宿主 TMD 的电子特性。约 1 meV 的大零场分裂表明，量子点具有单重态基态，且最可能由宿主 TMD 中的杂质或缺陷引起的各向异性约束。范德华异质结构中的电学控制以及鲁棒的自旋 - 谷自由度，使得 TMD 量子点在量子信息处理方面充满前景。
引用
@article{arxiv.1411.0025,
title = {Optically Active Quantum Dots in Monolayer WSe$_2$},
author = {Ajit Srivastava and Meinrad Sidler and Adrien V. Allain and Dominik S. Lembke and Andras Kis and Atac Imamoglu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.0025},
year = {2014}
}