单层 WSe2 转移至 InP 纳米线上的量子发射
光学
2025-10-07 v1 材料科学
量子物理
摘要
由于应变在过渡金属硫化物中发射器位点选择性创建中所扮演的角色，利用拾取-放置方法将其混合集成到腔体和波导等光子结构中已成为近期涌现的二维材料中局部量子发射器的固态单光子源备选方案之一。本文我们考察了由单层 WSe2 与水平排列的 InP 纳米线（NWs）构成的混合结构的量子发射。我们的实验显示在 715-785 nm 光谱范围内出现多个窄且明亮的发射峰，g(2)(0) 可低至 0.049，表明强抗集成和良好的单光子纯度。III-V 纳米线的棱面特性为应力工程提供了独特的机会，包括将发射器置于表面以实现最佳耦合的潜力。我们的发现为实现用于集成量子光子学的混合量子光源铺平了道路，这些混合光源可以将 III-V 量子点与硫化物发射器整合到单一平台中。
引用
@article{arxiv.2510.04198,
title = {Quantum Emission in Monolayer WSe2 Transferred onto InP Nanowires},
author = {Palwinder Singh and Jasleen Kaur Jagde and Megha Jain and Edith Yeung and David B. Northeast and Simona Moisa and Seid J. Mohammed and Jean Lapointe and Una Rajnis and Annika Kienast and Philip J. Poole and Dan Dalacu and Kimberley C. Hall},
journal= {arXiv preprint arXiv:2510.04198},
year = {2025}
}