WSe2单层中应变通调的单光子源
介观与纳米尺度物理
2019-10-23 v1 光学
摘要
原子级薄半导体中单光子源的出现，为发展灵活且超紧凑的量子技术带来了巨大前景，其中弹性应变工程可用于定制其发射特性。在此，我们展示一种紧凑的混合二维半导体-压电器件，可调控皱褶WSe2单层中局域量子发射体所发射单光子的能量。我们证明，压电器件施加的应变场可以可逆方式将WSe2中局域激子的能量调谐达18 meV，同时在宽范围内保持单光子纯度不受影响。有趣的是，我们发现能量移动的大小尤其是其随应力的符号依赖于发射体。借助有限元模拟，我们提出一个简单模型解释我们的实验观测，并进一步揭示量子发射体所经历的应变类型（拉伸或压缩）强烈依赖于其在皱褶上的位置。我们的发现对于基于二维材料的单光子器件的实际实现以及理解应变对其发射特性的影响具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1909.01784,
title = {Strain-tunable Single Photon Sources in WSe2 Monolayers},
author = {Oliver Iff and Davide Tedeschi and Javier Martín-Sánchez and Magdalena Moczała-Dusanowska and Sefaattin Tongay and Kentaro Yumigeta and Javier Taboada-Gutiérrez and Matteo Savaresi and Armando Rastelli and Pablo Alonso-González and Sven Höfling and Rinaldo Trotta and Christian Schneider},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.01784},
year = {2019}
}