应变二维半导体中的高密度局域量子发射体
介观与纳米尺度物理
2022-05-31 v1 材料科学
其他凝聚态物理
应用物理
光学
摘要
二维硫属化物半导体近来已成为单光子量子发射体的宿主材料。尽管已有若干关于二维硫属化物中缺陷与应变诱导单光子发射的报道，一种自下而上、无光刻技术制备高密度发射体的方法仍属空白。此外，应变二维半导体中量子发射的物理性质远未被理解。在此，我们展示了一种自下而上、可扩展且无光刻的方法，用于在 WSe2 单层中创建大面积、高密度（约 150 发射体/μm²）的局域发射体。我们通过将 WSe2 单层保形置于尺寸为 10 nm 的均匀 Pt 纳米颗粒阵列上，以高空间密度在 WSe2 单层内诱导应变。低温、时间分辨、栅极可调发光测量结合近场发光光谱表明，在应变区域形成了以高密度发射单光子的局域态。我们利用金属纳米颗粒阵列产生高密度应变量子发射体的方法，为可扩展、可调且多功能的量子光源开辟了新路径。
引用
@article{arxiv.2204.00397,
title = {High Density, Localized Quantum Emitters in Strained 2D Semiconductors},
author = {Gwangwoo Kim and Hyong Min Kim and Pawan Kumar and Mahfujur Rahaman and Christopher E. Stevens and Jonghyuk Jeon and Kiyoung Jo and Kwan-Ho Kim and Nicholas Trainor and Haoyue Zhu and Byeong-Hyeok Sohn and Eric A. Stach and Joshua R. Hendrickson and Nicholas R Glavin and Joonki Suh and Joan M. Redwing and Deep Jariwala},
journal= {arXiv preprint arXiv:2204.00397},
year = {2022}
}
备注
45 pages, 20 figures (5 main figures, 15 supporting figures)