单层和双层 WSe2 中应变诱导的量子发射体的空间与光谱分离
介观与纳米尺度物理
2016-10-11 v1
摘要
二维过渡金属硫族化物半导体因其独特的光电性质，成为量子光源极具吸引力的载体。本文报告了由基底图案化诱导的应变梯度导致单层和双层 WSe2 中产生空间和光谱上分离的量子发射体。通过将局域激子与局域应变变化相关联，我们表明量子发射体的发射能量可红调至显著的 ~170 meV。我们探测了应变发射体的精细结构、磁光特性和二阶相干性。这些结果为应变工程化量子发射体性质以及在二维半导体中确定性创建量子发射体阵列提供了前景。
引用
@article{arxiv.1509.01085,
title = {Strain-induced spatial and spectral isolation of quantum emitters in mono- and bi-layer WSe2},
author = {Santosh Kumar and Artur Kaczmarczyk and Brian D. Gerardot},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.01085},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 4 figures